產品設計方案：

固體氧化物電解池（SOEC）單電池的結構設計是其性能優(yōu)化的核心，需綜合考慮電解質、電極、界面接觸、氣體擴散和熱/電導路徑的協(xié)同作用。以下是針對電熱催化SOEC單電池的詳細結構設計方案：

1. 單電池基本組成

SOEC單電池通常為三明治結構，包含以下核心層：

（1）致密電解質層（Dense Electrolyte）

材料：YSZ（氧化釔穩(wěn)定氧化鋯）或摻雜氧化鈰（如GDC，Gd?.?Ce?.?O??δ）。

功能：傳導O2?離子，隔離燃料氣和氧化劑。

厚度：約10–30 μm（薄膜化降低歐姆阻抗）。

（2）多孔陰極（燃料極）（Porous Cathode）

材料：

傳統(tǒng)：NiYSZ金屬陶瓷（Ni提供電子傳導，YSZ提供離子傳導）。

改進：摻雜催化劑（如NiCeO?YSZ、NiFe合金YSZ）。

功能：在高溫下催化H?O/CO?電解，釋放O2?至電解質。

結構：孔隙率30–40%（兼顧氣體擴散與電化學活性面積）。

（3）多孔陽極（氧電極）（Porous Anode）

材料：混合導體氧化物（如LSCFLa?.?Sr?.?Co?.?Fe?.?O??δ、LSMLa?.?Sr?.?MnO?）。

功能：催化O2?氧化生成O?，并傳導電子。

結構：孔隙率20–30%（需與電解質熱膨脹系數(shù)匹配）。

（4）電流收集層

材料：鉑（Pt）或鎳（Ni）網/漿料。

功能：降低接觸電阻，均勻分布電流。

2. 結構類型選擇

根據(jù)支撐體不同，SOEC單電池可分為以下類型：

(1) 電解質支撐型

結構：厚電解質（~100–300 μm）作為機械支撐，兩側涂覆薄電極（~10–50 μm）。

優(yōu)點：機械強度高，密封容易。

缺點：歐姆阻抗較大，適合低溫（<750°C）應用。

(2) 電極支撐型

結構：厚陰極（~0.5–1 mm）或厚陽極作為支撐體，電解質薄膜（）沉積其上。

優(yōu)點：降低歐姆損耗，適合高溫（>800°C）高效運行。

缺點：機械強度低，需優(yōu)化電極/電解質界面。

(3) 對稱結構

設計：陰極和陽極采用相同或相似材料（如雙鈣鈦礦結構）。

優(yōu)點：簡化制備工藝，減少熱應力。

應用：適用于可逆SOEC/SOFC模式切換。

3. 關鍵結構參數(shù)優(yōu)化

(1) 電解質厚度與致密性

目標：降低離子遷移阻抗（厚度/電導率）。

優(yōu)化方法：

采用薄膜制備技術（如磁控濺射、噴霧熱解）。

通過燒結工藝（如1400–1500°C，4–6小時）確保無針孔。

(2) 電極孔隙率與微觀結構

陰極：梯度孔隙設計（表層高孔隙率利于氣體擴散，近電解質層致密化增強三相界面）。引入納米催化劑（如CeO?納米顆粒）提升表面活性。

陽極：多孔骨架中嵌入離子導體（如GDC）形成雙相復合結構。

(3) 界面工程

陰極/電解質界面：

添加功能層（如摻雜CeO?的YSZ過渡層）減少界面電阻。

預燒結處理（如共燒結陰極/電解質）增強結合強度。

陽極/電解質界面：

采用LSCF-GDC復合陽極，避免Sr元素擴散至YSZ導致失活。

4. 電熱催化結構增強策略

(1) 催化劑分布設計

表面修飾：在陰極表面噴涂納米催化劑（如Ni@CeO?核殼結構），提升H?O/CO?吸附與解離效率。

梯度摻雜：沿電極厚度方向梯度摻雜Ce、Co等元素，優(yōu)化反應路徑。

(2) 熱管理結構

局部加熱設計：在電極中嵌入電阻加熱絲（如Pt絲），實現(xiàn)電解區(qū)精準控溫。

熱導層：在電解質背面涂覆高導熱材料（如AlN），均勻分布熱量。

(3) 微通道流場

陰極流場：設計蛇形或叉指狀氣體流道，強化H?O/CO?傳輸。

陽極流場：采用多孔泡沫金屬（如Ni泡沫）促進O?排出。

5. 制備工藝流程

電解質制備：干壓成型或流延法制備YSZ生坯→高溫燒結（1500°C，4小時）。

電極涂覆：絲網印刷/噴涂電極漿料→共燒結（陰極1400°C，陽極1200°C）。

功能層修飾：浸漬法負載納米催化劑→低溫退火（500°C，2小時）。

組裝與密封：玻璃密封膠或云母片密封→鉑網電流收集器焊接。

6. 結構表征方法

微觀結構：SEM觀察孔隙分布，TEM分析催化劑分散度。

界面結合：EDS線掃描檢測元素擴散，XRD驗證相純度。

電化學性能：EIS擬合界面阻抗，IV曲線評估電解效率。

7. 典型結構設計案例

案例：NiCeO?/YSZ//LSCF梯度結構SOEC

電解質：20 μm YSZ薄膜（磁控濺射沉積）。

陰極：底層：NiYSZ（50 μm，孔隙率35%）；表層：CeO?納米顆粒修飾層（5 μm，孔隙率50%）。

陽極：LSCFGDC復合層（30 μm，孔隙率25%）。

優(yōu)勢：高活性界面+低熱應力，800°C下電流密度可達1.2 A/cm2（1.5V）。

8. 常見問題與解決方案

通過上述結構設計，可顯著提升SOEC的電熱催化效率與長期穩(wěn)定性。實際設計中需結合具體材料體系（如質子導體SOEC）和操作條件（溫度、氣體組成）進一步優(yōu)化參數(shù)。